HN2000容性設備介質損耗帶電檢測裝置

產品簡介:
betway必威游戏,您身邊的高壓測試!生產HN2000容性設備介質損耗帶電檢測裝置,主要為電力係統的發電、供電、用電部門,科研機構與電力設備相關的生產企業,提供的高壓試驗設備和檢測儀器儀表,谘詢!

更新時間:2016-03-10

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生產(chan) 地址:上海市

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產品介紹
品牌SHENGHAO/晟皋

一、產(chan) 品概述

在電網中運行的高壓電氣設備,如果其內(nei) 部存在因製造不良、老化及外力破壞等因素造成的絕緣缺陷,就會(hui) 發生影響高壓設備和電網正常運行的絕緣事故。為(wei) 防止此類重大安全事故的發生,目前采用的傳(chuan) 統做法是在設備投運後,定期停電進行預防性試驗和檢修,以便及時檢測出設備內(nei) 部的絕緣缺陷。但停電預防性試驗的試驗條件與(yu) 運行狀態相差較大,因此不易正確診斷出高壓設備在運行情況下的絕緣狀況,更難以發現在兩(liang) 次預防性試驗間隔之間形成的缺陷,這將直接影響到預防性試驗的試驗效果。同時隨著國民經濟的發展,全社會(hui) 對電力供應的可靠性和減少停電時間的要求越來越高;電力係統規模的逐漸發展壯大,傳(chuan) 統的定期停電預防性試驗由於(yu) 存在費時、費力及試驗效果不理想等諸多弊端而明顯不能滿足電網安全、可靠和高效運行的要求,因此對電氣設備運行實施自動監控及絕緣狀況在線監測,實現狀態檢修已經成為(wei) 未來高壓設備試驗的必然發展方向。

在變電站高壓設備中,容性設備(如套管、CT、CVT、耦合電容器等)的數量占40%~50%,其自身的絕緣性能是關(guan) 係到設備現場安全運行的重要技術指標。容性設備的絕緣劣化是一個(ge) 漸變的過程,但如不及時發現並檢修,就可能導致套管發生故障進而引發突發性故障,造成巨大的直接、間接經濟損失。變電站容性設備絕緣狀況的帶電監測,通常可采用集中(固定)在線監測和分散(便攜)帶電測量兩(liang) 種方式實現。

HN2000容性設備介質損耗帶電檢測裝置屬於(yu) 帶電測量的產(chan) 品,與(yu) 在線監測設備相比它主要有以下優(you) 點:

(1) 投資小;

(2) 便於(yu) 安裝,隻在容性設備末屏和地線之間安裝取樣單元;

(3) 運行穩定、日常維護量極小;

(4) 可以進行相對測量,不受現場幹擾和環境的影響;

(5) 可根據設備狀態選擇不同測量時間間隔。

二、HN2000容性設備介質損耗帶電檢測裝置功能特點

3.1安全、方便。 儀(yi) 器內(nei) 置高精度穿心結構電流傳(chuan) 感器,安裝後不對原係統進行改變,不會(hui) 造成設備失地的危險;

3.2取樣單元輸入阻抗極低,可耐受20A工頻電流的作用以及10kA雷電流的衝(chong) 擊,信號處理電路采用了*的異頻自校技術,對傳(chuan) 感器精度進行動態校驗,可*排除母線諧波分量對測量結果的影響。因此儀(yi) 器可準確檢測100μA—700mA範圍內(nei) 的微弱電流信號,並能通過外部串接電阻的方式實現對電壓信號的測量;

3.3可以提供兩(liang) 種介質損耗在線檢測方式,既可測量兩(liang) 個(ge) 同相電容型設備的介質損耗差值和電容量比值,又可用PT二次側(ce) 電壓作基準信號,對設備的電容量及介質損耗值進行測量,現場使用操作靈活、方便;

3.4檢測儀(yi) 的主控采用的ARM嵌入式計算機係統,該CPU具有運算速度快,功能強大及抗幹擾能力強等優(you) 點,可以保證儀(yi) 器現場工作時具有良好的穩定性能;

3.5的電磁屏蔽措施和的數字處理技術,可確保介質損耗測試結果不受諧波幹擾及脈衝(chong) 幹擾的影響,具有高達±0.05%的檢測精度;

3.6采用便攜式設計結構,操作使用極為(wei) 簡單;機內(nei) 自帶蓄電池,在一次充滿後,即使是在現場沒有市電的情況下,仍可以連續工作8小時,*現場使用的要求。
三、技術指標

整 機 參 數

外形尺寸

   360×410×180(mm)

儀(yi) 器重量

   6kg

顯示方式

大屏幕液晶顯示器,特別適合戶外使用

充電電源

   AC 220V, 50±1Hz

環境溫度

   -25℃~45℃

相對濕度

   當溫度為(wei) 25℃時不大於(yu) 90%(無凝露)

充電時間

   10~12小時



 







 

 

測量範圍及精度

電流測量

測量範圍

Ix=100μA~700mA   In=100μA~700mA

測量精度

±(0.5%+1字)

電壓測量

測量範圍

Vn=3V~300V

測量精度

±(0.5%+1字)

注: 獲取PT二次信號時建議使用PT取樣保護單元盒

介質損耗

測量範圍

Tanδ=-200%~200%

測量精度

±0.05%

電容比值

測量範圍

Cx:Cn=1:1000~1000:1

測量精度

±(0.5%C +1字)

電容量

測量範圍

Cx=10pF~0.5μF

測量精度

±(0.5%C+2pF



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